Hochstrom-Leistungsinduktoren, geformte Leistungsinduktoren - SEP, SMP, REP-SERIE (2 ~ 17 mm)

SMD-Formleistungsinduktor wird mithilfe der Formtechnologie verwendet, um die Spule abzudecken und eine hohe magnetische Abschirmwirkung mit geringem Magnetflussverlust, keinem akustischen Rauschen und weichem Sättigen zu erzielen Strom. Das SEP/REP-Modell des Molding-Leistungsinduktors zeichnet sich durch ein niedriges Profil (von 1,2 mm bis 7,0 mm) und eine kleine Grundfläche (von 2,5 mm) aus. Aufgrund unserer fortschrittlichen Pulver- und Drahtwickeltechnologie ist das Produkt hat eine geringe Induktivitätsänderung in Abhängigkeit von der Temperatur. Im Vergleich zur Ferritstruktur hat diese Serie weiche Sättigungseigenschaften und einen besseren Wirkungsgrad.

Herkömmlicher geformter Hochstrominduktor verwendet den runden Draht. Um eine bessere Leistung und einen geringeren Energieverbrauch zu erzielen, ist Flachdraht auch für den SMD-Formleistungsinduktor erhältlich. Das Formleistungsinduktor mit flachem Draht, der eine um 40 bis 60% bessere Oberfläche aufweist. Dies ist hilfreich, wenn ein größerer Strom durchfließt und einen geringeren Gleichstromwiderstand bietet. Großer Bereich des Induktivitätswerts von 0,1 uH bis 220 uH. (Ein anderer benutzerdefinierter Anforderungsinduktivitätswert ist verfügbar).

Das Ingenieurteam von Coilmaster Electronics verfügt über ausgezeichnete Kenntnisse in der Materialpulver- und Wickeltechnologie. Bei dieser geformten Hochstrominduktivität werden zwei eigens entwickelte Materialpulver verwendet, die Carbonyl- und Legierungspulver. Das Carbonylpulverprodukt könnte den höheren Sättigungspunkt, den geringeren Leistungsverlust und die robuste Struktur liefern. Auf der anderen Seite ist Metalllegierungspulver kostengünstiger, einfacher Produktionsprozess und umweltfreundlicher. Beide magnetischen Metallmaterialien weisen Änderungen der Miner-Induktivität durch Temperatur auf und erreichen keine magnetische Sättigung. Daher das Produkt eignet sich hervorragend für Anwendungen, die einen stabilen Induktivitätswert auch über den Nennströmen und höheren Frequenzen und Strömen benötigen. Oberhalb von Nennströmen fällt der Induktivitätswert sanft ab und DC/DC-Energiespeicherung beträgt bis zu 1 MHz.
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