33uH, 2.5A 繞線屏蔽電感器
SDC8D43HP-330N-LF
2.2uH, 3.1A 高性價比半磁屏蔽電感,這款半磁性屏蔽電感器採用新技術的磁性環氧樹脂代替傳統的鐵氧體屏蔽環芯。電感器上的屏蔽物質包含軟磁金屬等磁性粉末，包裹著線圈。因此，相較於傳統的非屏蔽電感器，此款模型增強了磁屏蔽效果，減少了線圈的非受控磁耦合和輻射排放。此外，該款電感器的尺寸僅為5.2x5.2mm，高度僅為1.2mm，額定電流在最低的1uH時為4.5安培。這種樹脂屏蔽電感器相比具有鐵氧體環芯的原始屏蔽電感器大幅減小了佔用空間，並且具有更具競爭力的價格。這款表面貼裝的半屏蔽電感器在傳統的SMD屏蔽電感器和SMD非屏蔽功率電感器之間建立了橋樑。整個系列符合RoHS標準，並且無鹵素。統宇電研還提供了使用合金粉末的磁芯提供餘香統尺寸下，更大電流的產品供客戶選擇。
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47uH, 2A屏蔽繞線式電感
SDC8D43HP-470N-LF
3.3uH, 2.4A 半磁屏蔽繞線功率電感,這款半磁性屏蔽電感器採用新技術的磁性環氧樹脂代替傳統的鐵氧體屏蔽環芯。電感器上的屏蔽物質包含軟磁金屬等磁性粉末，包裹著線圈。因此，相較於傳統的非屏蔽電感器，此款模型增強了磁屏蔽效果，減少了線圈的非受控磁耦合和輻射排放。此外，該款電感器的尺寸僅為5.2x5.2mm，高度僅為1.2mm，額定電流在最低的1uH時為4.5安培。這種樹脂屏蔽電感器相比具有鐵氧體環芯的原始屏蔽電感器大幅減小了佔用空間，並且具有更具競爭力的價格。這款表面貼裝的半屏蔽電感器在傳統的SMD屏蔽電感器和SMD非屏蔽功率電感器之間建立了橋樑。整個系列符合RoHS標準，並且無鹵素。統宇電研還提供了使用合金粉末的磁芯提供餘香統尺寸下，更大電流的產品供客戶選擇。
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68uH, 1.6A 繞線式貼片磁屏蔽電感
SDC8D43HP-680N-LF
4.7uH, 2.2A 磁膠屏蔽電感,這款半磁性屏蔽電感器採用新技術的磁性環氧樹脂代替傳統的鐵氧體屏蔽環芯。電感器上的屏蔽物質包含軟磁金屬等磁性粉末，包裹著線圈。因此，相較於傳統的非屏蔽電感器，此款模型增強了磁屏蔽效果，減少了線圈的非受控磁耦合和輻射排放。此外，該款電感器的尺寸僅為5.2x5.2mm，高度僅為1.2mm，額定電流在最低的1uH時為4.5安培。這種樹脂屏蔽電感器相比具有鐵氧體環芯的原始屏蔽電感器大幅減小了佔用空間，並且具有更具競爭力的價格。這款表面貼裝的半屏蔽電感器在傳統的SMD屏蔽電感器和SMD非屏蔽功率電感器之間建立了橋樑。整個系列符合RoHS標準，並且無鹵素。統宇電研還提供了使用合金粉末的磁芯提供餘香統尺寸下，更大電流的產品供客戶選擇。
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0.68uH, 9A smt 屏蔽電感
SDC8D43-R68N-LF
6.8uH, 1.7A 半屏蔽式電感,這款半磁性屏蔽電感器採用新技術的磁性環氧樹脂代替傳統的鐵氧體屏蔽環芯。電感器上的屏蔽物質包含軟磁金屬等磁性粉末，包裹著線圈。因此，相較於傳統的非屏蔽電感器，此款模型增強了磁屏蔽效果，減少了線圈的非受控磁耦合和輻射排放。此外，該款電感器的尺寸僅為5.2x5.2mm，高度僅為1.2mm，額定電流在最低的1uH時為4.5安培。這種樹脂屏蔽電感器相比具有鐵氧體環芯的原始屏蔽電感器大幅減小了佔用空間，並且具有更具競爭力的價格。這款表面貼裝的半屏蔽電感器在傳統的SMD屏蔽電感器和SMD非屏蔽功率電感器之間建立了橋樑。整個系列符合RoHS標準，並且無鹵素。統宇電研還提供了使用合金粉末的磁芯提供餘香統尺寸下，更大電流的產品供客戶選擇。
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1.2uH, 8A 貼片電感線圈
SDC8D43-1R2N-LF
10uH, 1.4A 半屏蔽貼片功率電感器,這款半磁性屏蔽電感器採用新技術的磁性環氧樹脂代替傳統的鐵氧體屏蔽環芯。電感器上的屏蔽物質包含軟磁金屬等磁性粉末，包裹著線圈。因此，相較於傳統的非屏蔽電感器，此款模型增強了磁屏蔽效果，減少了線圈的非受控磁耦合和輻射排放。此外，該款電感器的尺寸僅為5.2x5.2mm，高度僅為1.2mm，額定電流在最低的1uH時為4.5安培。這種樹脂屏蔽電感器相比具有鐵氧體環芯的原始屏蔽電感器大幅減小了佔用空間，並且具有更具競爭力的價格。這款表面貼裝的半屏蔽電感器在傳統的SMD屏蔽電感器和SMD非屏蔽功率電感器之間建立了橋樑。整個系列符合RoHS標準，並且無鹵素。統宇電研還提供了使用合金粉末的磁芯提供餘香統尺寸下，更大電流的產品供客戶選擇。
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2uH, 7A 貼片線圈電感
SDC8D43-2R0N-LF
1.2uH, 3.8A SMD 半磁屏蔽電感,這款半磁性屏蔽電感器採用新技術的磁性環氧樹脂代替傳統的鐵氧體屏蔽環芯。電感器上的屏蔽物質包含軟磁金屬等磁性粉末，包裹著線圈。因此，相較於傳統的非屏蔽電感器，此款模型增強了磁屏蔽效果，減少了線圈的非受控磁耦合和輻射排放。此外，該款電感器的尺寸僅為5.2x5.2mm，高度僅為1.4mm，額定電流在最低的1.4uH時為3.8安培。這種樹脂屏蔽電感器相比具有鐵氧體環芯的原始屏蔽電感器大幅減小了佔用空間，並且具有更具競爭力的價格。這款表面貼裝的半屏蔽電感器在傳統的SMD屏蔽電感器和SMD非屏蔽功率電感器之間建立了橋樑。整個系列符合RoHS標準，並且無鹵素。統宇電研還提供了使用合金粉末的磁芯提供餘香統尺寸下，更大電流的產品供客戶選擇。
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3.9uH, 5.9A 貼片屏蔽功率電感
SDC8D43-3R9N-LF
2.2uH, 2.8A 低高度半磁屏蔽電感,這款半磁性屏蔽電感器採用新技術的磁性環氧樹脂代替傳統的鐵氧體屏蔽環芯。電感器上的屏蔽物質包含軟磁金屬等磁性粉末，包裹著線圈。因此，相較於傳統的非屏蔽電感器，此款模型增強了磁屏蔽效果，減少了線圈的非受控磁耦合和輻射排放。此外，該款電感器的尺寸僅為5.2x5.2mm，高度僅為1.4mm，額定電流在最低的1.4uH時為3.8安培。這種樹脂屏蔽電感器相比具有鐵氧體環芯的原始屏蔽電感器大幅減小了佔用空間，並且具有更具競爭力的價格。這款表面貼裝的半屏蔽電感器在傳統的SMD屏蔽電感器和SMD非屏蔽功率電感器之間建立了橋樑。整個系列符合RoHS標準，並且無鹵素。統宇電研還提供了使用合金粉末的磁芯提供餘香統尺寸下，更大電流的產品供客戶選擇。
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4.7uH, 5.6A 貼片屏蔽電感(適合降壓變壓器)
SDC8D43-4R7N-LF
3.3uH, 2.35A 貼片式半磁屏蔽電感,這款半磁性屏蔽電感器採用新技術的磁性環氧樹脂代替傳統的鐵氧體屏蔽環芯。電感器上的屏蔽物質包含軟磁金屬等磁性粉末，包裹著線圈。因此，相較於傳統的非屏蔽電感器，此款模型增強了磁屏蔽效果，減少了線圈的非受控磁耦合和輻射排放。此外，該款電感器的尺寸僅為5.2x5.2mm，高度僅為1.4mm，額定電流在最低的1.4uH時為3.8安培。這種樹脂屏蔽電感器相比具有鐵氧體環芯的原始屏蔽電感器大幅減小了佔用空間，並且具有更具競爭力的價格。這款表面貼裝的半屏蔽電感器在傳統的SMD屏蔽電感器和SMD非屏蔽功率電感器之間建立了橋樑。整個系列符合RoHS標準，並且無鹵素。統宇電研還提供了使用合金粉末的磁芯提供餘香統尺寸下，更大電流的產品供客戶選擇。
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6.8uH, 4.4A 貼片屏蔽電感(適合升壓變壓器)
SDC8D43-6R8N-LF
4.7uH, 2.05A 低直流阻抗半磁屏蔽電感,這款半磁性屏蔽電感器採用新技術的磁性環氧樹脂代替傳統的鐵氧體屏蔽環芯。電感器上的屏蔽物質包含軟磁金屬等磁性粉末，包裹著線圈。因此，相較於傳統的非屏蔽電感器，此款模型增強了磁屏蔽效果，減少了線圈的非受控磁耦合和輻射排放。此外，該款電感器的尺寸僅為5.2x5.2mm，高度僅為1.4mm，額定電流在最低的1.4uH時為3.8安培。這種樹脂屏蔽電感器相比具有鐵氧體環芯的原始屏蔽電感器大幅減小了佔用空間，並且具有更具競爭力的價格。這款表面貼裝的半屏蔽電感器在傳統的SMD屏蔽電感器和SMD非屏蔽功率電感器之間建立了橋樑。整個系列符合RoHS標準，並且無鹵素。統宇電研還提供了使用合金粉末的磁芯提供餘香統尺寸下，更大電流的產品供客戶選擇。
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10uH, 4A 大電流 貼片屏蔽式功率電感器
SDC8D43-100N-LF
2.2uH, 5A 半屏蔽SMT大電流 功率電感,尺寸為5.2x5.2mm，僅2.8mm高度的半屏蔽SMT高電流功率電感器...
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15uH, 2.9A 低損耗貼片屏蔽電感
SDC8D43-150N-LF
3.3uH, 4.5A 半磁屏蔽電感,尺寸為5.2x5.2mm，僅2.8mm高度的半屏蔽SMT高電流功率電感器...
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22uH, 2.6A SMD 低高度功率電感
SDC8D43-220N-LF
4.7uH, 4.2A 半屏蔽繞線式功率電感,尺寸為5.2x5.2mm，僅2.8mm高度的半屏蔽SMT高電流功率電感器...
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