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統宇電研 - 專業生產貼片電感, 共模電感, 高頻變壓器

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結果 637 - 648 的 8545
2.2uH, 15A 雙繞組屏蔽功率電感 - SMD 屏蔽共模電感器
2.2uH, 15A 雙繞組屏蔽功率電感
SDS125BQ-2R2M-LF

2.2uH, 15A 雙繞組屏蔽功率電感,此共模電感器是一個成本效益高且體積小的解決方案,具有兩個繞組的雙線圈設計(僅6mm高度)。採用磁屏蔽結構,提供低EMI輻射和漏磁。由於我們先進的繞線技術,這款雙繞組屏蔽共模電感器具有優異的耦合係數(k值)和低的雜散電感。這兩個繞組可以串聯或並聯連接,提供廣泛的電感值和電流額定值範圍。這意味著它可以分類為電感模式(升壓和耦合電感器)/變壓器模式(反激變壓器或SEPIC)的應用。

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3.3uH, 12.7A 耦合電感 - SMD 屏蔽共模電感器
3.3uH, 12.7A 耦合電感
SDS125BQ-3R3M-LF

3.3uH, 12.7A 耦合電感,此共模電感器是一個成本效益高且體積小的解決方案,具有兩個繞組的雙線圈設計(僅6mm高度)。採用磁屏蔽結構,提供低EMI輻射和漏磁。由於我們先進的繞線技術,這款雙繞組屏蔽共模電感器具有優異的耦合係數(k值)和低的雜散電感。這兩個繞組可以串聯或並聯連接,提供廣泛的電感值和電流額定值範圍。這意味著它可以分類為電感模式(升壓和耦合電感器)/變壓器模式(反激變壓器或SEPIC)的應用。

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4.7uH, 9.71A SMD 耦合電感 - SMD 屏蔽共模電感器
4.7uH, 9.71A SMD 耦合電感
SDS125BQ-4R7M-LF

4.7uH, 9.71A SMD 耦合電感,此共模電感器是一個成本效益高且體積小的解決方案,具有兩個繞組的雙線圈設計(僅6mm高度)。採用磁屏蔽結構,提供低EMI輻射和漏磁。由於我們先進的繞線技術,這款雙繞組屏蔽共模電感器具有優異的耦合係數(k值)和低的雜散電感。這兩個繞組可以串聯或並聯連接,提供廣泛的電感值和電流額定值範圍。這意味著它可以分類為電感模式(升壓和耦合電感器)/變壓器模式(反激變壓器或SEPIC)的應用。

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6.8uH, 8.68A 貼片式耦合電感 - SMD 屏蔽共模電感器
6.8uH, 8.68A 貼片式耦合電感
SDS125BQ-6R8M-LF

6.8uH, 8.68A 貼片式耦合電感,此共模電感器是一個成本效益高且體積小的解決方案,具有兩個繞組的雙線圈設計(僅6mm高度)。採用磁屏蔽結構,提供低EMI輻射和漏磁。由於我們先進的繞線技術,這款雙繞組屏蔽共模電感器具有優異的耦合係數(k值)和低的雜散電感。這兩個繞組可以串聯或並聯連接,提供廣泛的電感值和電流額定值範圍。這意味著它可以分類為電感模式(升壓和耦合電感器)/變壓器模式(反激變壓器或SEPIC)的應用。

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8.2uH, 7.86A 雙繞組電感 - SMD 屏蔽共模電感器
8.2uH, 7.86A 雙繞組電感
SDS125BQ-8R2M-LF

8.2uH, 7.86A 雙繞組電感,此共模電感器是一個成本效益高且體積小的解決方案,具有兩個繞組的雙線圈設計(僅6mm高度)。採用磁屏蔽結構,提供低EMI輻射和漏磁。由於我們先進的繞線技術,這款雙繞組屏蔽共模電感器具有優異的耦合係數(k值)和低的雜散電感。這兩個繞組可以串聯或並聯連接,提供廣泛的電感值和電流額定值範圍。這意味著它可以分類為電感模式(升壓和耦合電感器)/變壓器模式(反激變壓器或SEPIC)的應用。

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10uH, 7.17A 雙繞組電感 - SMD 屏蔽共模電感器
10uH, 7.17A 雙繞組電感
SDS125BQ-100M-LF

10uH, 7.17A 雙繞組電感,此共模電感器是一個成本效益高且體積小的解決方案,具有兩個繞組的雙線圈設計(僅6mm高度)。採用磁屏蔽結構,提供低EMI輻射和漏磁。由於我們先進的繞線技術,這款雙繞組屏蔽共模電感器具有優異的耦合係數(k值)和低的雜散電感。這兩個繞組可以串聯或並聯連接,提供廣泛的電感值和電流額定值範圍。這意味著它可以分類為電感模式(升壓和耦合電感器)/變壓器模式(反激變壓器或SEPIC)的應用。

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15uH, 5.69A 雙繞組功率電感 - SMD 屏蔽共模電感器
15uH, 5.69A 雙繞組功率電感
SDS125BQ-150M-LF

15uH, 5.69A 雙繞組功率電感,此共模電感器是一個成本效益高且體積小的解決方案,具有兩個繞組的雙線圈設計(僅6mm高度)。採用磁屏蔽結構,提供低EMI輻射和漏磁。由於我們先進的繞線技術,這款雙繞組屏蔽共模電感器具有優異的耦合係數(k值)和低的雜散電感。這兩個繞組可以串聯或並聯連接,提供廣泛的電感值和電流額定值範圍。這意味著它可以分類為電感模式(升壓和耦合電感器)/變壓器模式(反激變壓器或SEPIC)的應用。

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22uH, 4.71A 雙繞組功率電感 - SMD 屏蔽共模電感器
22uH, 4.71A 雙繞組功率電感
SDS125BQ-220M-LF

22uH, 4.71A 雙繞組功率電感,此共模電感器是一個成本效益高且體積小的解決方案,具有兩個繞組的雙線圈設計(僅6mm高度)。採用磁屏蔽結構,提供低EMI輻射和漏磁。由於我們先進的繞線技術,這款雙繞組屏蔽共模電感器具有優異的耦合係數(k值)和低的雜散電感。這兩個繞組可以串聯或並聯連接,提供廣泛的電感值和電流額定值範圍。這意味著它可以分類為電感模式(升壓和耦合電感器)/變壓器模式(反激變壓器或SEPIC)的應用。

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33uH, 3.84A 貼片雙繞組電感器 - SMD 屏蔽共模電感器
33uH, 3.84A 貼片雙繞組電感器
SDS125BQ-330M-LF

33uH, 3.84A 貼片雙繞組電感器,此共模電感器是一個成本效益高且體積小的解決方案,具有兩個繞組的雙線圈設計(僅6mm高度)。採用磁屏蔽結構,提供低EMI輻射和漏磁。由於我們先進的繞線技術,這款雙繞組屏蔽共模電感器具有優異的耦合係數(k值)和低的雜散電感。這兩個繞組可以串聯或並聯連接,提供廣泛的電感值和電流額定值範圍。這意味著它可以分類為電感模式(升壓和耦合電感器)/變壓器模式(反激變壓器或SEPIC)的應用。

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47uH, 3.24A 貼片雙繞組電感器s - SMD 屏蔽共模電感器
47uH, 3.24A 貼片雙繞組電感器s
SDS125BQ-470M-LF

47uH, 3.24A 貼片雙繞組電感器s,此共模電感器是一個成本效益高且體積小的解決方案,具有兩個繞組的雙線圈設計(僅6mm高度)。採用磁屏蔽結構,提供低EMI輻射和漏磁。由於我們先進的繞線技術,這款雙繞組屏蔽共模電感器具有優異的耦合係數(k值)和低的雜散電感。這兩個繞組可以串聯或並聯連接,提供廣泛的電感值和電流額定值範圍。這意味著它可以分類為電感模式(升壓和耦合電感器)/變壓器模式(反激變壓器或SEPIC)的應用。

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68uH, 2.7A 貼片繞線雙繞組功率電感 - SMD 屏蔽共模電感器
68uH, 2.7A 貼片繞線雙繞組功率電感
SDS125BQ-680M-LF

68uH, 2.7A 貼片繞線雙繞組功率電感,此共模電感器是一個成本效益高且體積小的解決方案,具有兩個繞組的雙線圈設計(僅6mm高度)。採用磁屏蔽結構,提供低EMI輻射和漏磁。由於我們先進的繞線技術,這款雙繞組屏蔽共模電感器具有優異的耦合係數(k值)和低的雜散電感。這兩個繞組可以串聯或並聯連接,提供廣泛的電感值和電流額定值範圍。這意味著它可以分類為電感模式(升壓和耦合電感器)/變壓器模式(反激變壓器或SEPIC)的應用。

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82uH, 2.39A 雙繞組磁屏蔽電感 - SMD 屏蔽共模電感器
82uH, 2.39A 雙繞組磁屏蔽電感
SDS125BQ-820M-LF

82uH, 2.39A 雙繞組磁屏蔽電感,此共模電感器是一個成本效益高且體積小的解決方案,具有兩個繞組的雙線圈設計(僅6mm高度)。採用磁屏蔽結構,提供低EMI輻射和漏磁。由於我們先進的繞線技術,這款雙繞組屏蔽共模電感器具有優異的耦合係數(k值)和低的雜散電感。這兩個繞組可以串聯或並聯連接,提供廣泛的電感值和電流額定值範圍。這意味著它可以分類為電感模式(升壓和耦合電感器)/變壓器模式(反激變壓器或SEPIC)的應用。

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