250Ω, 4A 2220晶片鐵氧體磁珠(電源用)
MI5650-251-4A-LF
250Ω，4A 2220芯片鐵氧體磁珠，用於電源線，這種EMI高電流鐵氧體晶片磁珠的各種尺寸從0603（0201）到8530至8530（3312），並且規格範圍很廣，可確保耐用且無故障且無故障。鐵氧體磁珠是一個被動的電動組件（疊層式磁珠），用於抑制或過濾電子電路中的高頻噪音。鐵氧體磁珠利用鐵氧體陶瓷中高頻電流的消散，建立高頻噪音抑制裝置。...
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270Ω, 4A 2220 EMI 大電流 鐵氧體晶片磁珠
MI5650-271-4A-LF
270Ω，4A 2220 EMI高電流鐵氧體晶片磁珠，這種EMI高電流鐵氧體晶片磁珠有各種尺寸，從0603（0201）到8530至8530（3312），並確保耐用且無故障且無故障的使用。鐵氧體磁珠是一個被動的電動組件（疊層式磁珠），用於抑制或過濾電子電路中的高頻噪音。鐵氧體磁珠利用鐵氧體陶瓷中高頻電流的消散，建立高頻噪音抑制裝置。...
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300Ω, 5A 2220 積層式大電流 鐵氧體晶片磁珠
MI5650-301-5A-LF
300Ω，5A 2220疊層高電流鐵氧體晶片磁珠，這種EMI高電流鐵氧體晶片磁珠有各種尺寸，從0603（0201）到8530至8530（3312），並確保耐用且無故障的使用範圍。鐵氧體磁珠是一個被動的電動組件（疊層式磁珠），用於抑制或過濾電子電路中的高頻噪音。鐵氧體磁珠利用鐵氧體陶瓷中高頻電流的消散，建立高頻噪音抑制裝置。...
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400Ω, 4.5A 2220 SMD 大電流晶片鐵氧體磁珠
MI5650-401-4.5A-LF
400Ω，4.5A 2220 SMD高電流芯片鐵氧體磁珠，此EMI高電流鐵氧體晶片磁珠有各種尺寸，從0603（0201）到8530至8530（3312），並且規格範圍很廣，可確保耐用且無故障且無故障。鐵氧體磁珠是一個被動的電動組件（疊層式磁珠），用於抑制或過濾電子電路中的高頻噪音。鐵氧體磁珠利用鐵氧體陶瓷中高頻電流的消散，建立高頻噪音抑制裝置。...
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100Ω, 10A SMD 大電流晶片鐵氧體磁珠
MI8530-101-10A-LF
最大的抑制高電流過濾器晶片磁珠提供了廣泛的規格，確保持久且無故障使用。鐵氧體磁珠是一個被動的電動組件（疊層式磁珠），用於抑制或過濾電子電路中的高頻噪音。對於SMD...
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1uH, 2.9A SMD 非屏蔽電感
SDH1608X-1R0M-LF
1UH，2.9A SMD非屏蔽功率電感器，尺寸為6.6x4.45x2.92mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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1.5uH, 2.8A SMD 無屏蔽電感
SDH1608X-1R5M-LF
1.5UH，2.8A SMD UNSHIED DOWER CONTUCTOR，尺寸為6.6x4.45x2.92mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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2.2uH, 2.4A SMD 無屏蔽蔽繞線功率電感
SDH1608X-2R2M-LF
2.2UH，2.4a SMD尺寸為6.6x4.45x2.92mm的Unshield Wire -Wired Winewound功率電感器。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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2.7uH, 2.1A 開放式繞線式SMD 功率電感
SDH1608X-2R7M-LF
2.7UH，2.1a尺寸為6.6x4.45x2.92mm的非屏蔽繞線式SMD功率電感器。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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3.3uH, 2A SMT 非屏蔽電感
SDH1608X-3R3M-LF
3.3UH，2A SMT非屏蔽功率電感器，尺寸為6.6x4.45x2.92mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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4.7uH, 1.5A SMT 無屏蔽電感
SDH1608X-4R7M-LF
4.7UH，1.5A SMT尺寸為6.6x4.45x2.92mm的非屏蔽功率電感器。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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6.8uH, 1.4A SMT 無屏蔽蔽繞線功率電感
SDH1608X-6R8M-LF
6.8UH，1.4A SMT尺寸為6.6x4.45x2.92mm的Unshield 繞線式功率電感器。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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