8.2uH, 1.3A 開放式繞線式SMT 功率電感
SDH1608X-8R2M-LF
8.2UH，1.3a尺寸為6.6x4.45x2.92mm的未屏蔽繞線式SMT功率電感器。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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10uH, 1.2A SMD 非屏蔽大電流 功率電感
SDH1608X-100M-LF
10UH，1.2A SMD非屏蔽高電流電感器，尺寸為6.6x4.45x2.92mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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15uH, 1.1A SMD 開放式大電流 功率電感
SDH1608X-150M-LF
15UH，1.1A SMD尺寸為6.6x4.45x2.92mm的非屏蔽高電流電感器。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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22uH, 0.8A SMD 開放式大電流 繞線式功率電感
SDH1608X-220M-LF
22UH，0.8A SMD未屏蔽的高電流繞線功率電感器，尺寸為6.6x4.45x2.92mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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33uH, 0.6A 開放式繞線式SMD 大電流 功率電感
SDH1608X-330M-LF
33UH，0.6A未屏蔽的電繞線式SMD高電流電感器，尺寸為6.6x4.45x2.92mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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47uH, 0.5A SMT 非屏蔽大電流 功率電感
SDH1608X-470M-LF
47UH，0.5A SMT非屏蔽高電流電感器，尺寸為6.6x4.45x2.92mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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68uH, 0.4A SMT 開放式大電流 功率電感
SDH1608X-680M-LF
68UH，0.4A SMT持續的高電流電感器，尺寸為6.6x4.45x2.92mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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100uH, 0.3A SMT 開放式大電流 繞線式功率電感
SDH1608X-101M-LF
100UH，0.3A SMT非屏蔽的高電流繞線功率電感器，尺寸為6.6x4.45x2.92mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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150uH, 0.25A 開放式繞線式大電流 SMT 功率電感
SDH1608X-151M-LF
150UH，0.25A尺寸為6.6x4.45x2.92mm的非屏蔽電流高電流SMT功率電感器。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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220uH, 0.2A 貼片繞線功率電感
SDH1608X-221M-LF
220UH，0.2A SMD 繞線式功率電感器，尺寸為6.6x4.45x2.92mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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330uH, 0.16A SMT 繞線式功率電感
SDH1608X-331M-LF
330UH，0.16A SMT 繞線式功率電感器，尺寸為6.6x4.45x2.92mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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470uH, 0.15A SMT 開放式繞線式功率電感
SDH1608X-471M-LF
470UH，0.15A SMT尺寸為6.6x4.45x2.92mm的非屏蔽電線電感器。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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