15uH, 4.4A 貼片繞線功率電感
SDH5022-150M-LF
15UH,4.4A SMD 繞線式功率電感器,尺寸為22.35x16.26x8.00mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流,高效率和高擊穿電壓。此外,這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR,統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
細節 添加到詢問車22uH, 3.5A SMT 繞線式功率電感
SDH5022-220M-LF
22UH,3.5A SMT電繞線式功率電感器,尺寸為22.35x16.26x8.00mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流,高效率和高擊穿電壓。此外,這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR,統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
細節 添加到詢問車33uH, 3A SMT 開放式繞線式功率電感
SDH5022-330M-LF
33UH,3A SMT帶尺寸22.35x16.26x8.00mm的未屏蔽電線電感器。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流,高效率和高擊穿電壓。此外,這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR,統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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SDH5022-470M-LF
47UH,2.6a尺寸為22.35x16.26x8.00mm的未屏蔽繞線式SMT功率電感器。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流,高效率和高擊穿電壓。此外,這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR,統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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SDH5022-680M-LF
68UH,2.3a SMD非屏蔽高電流電感器,尺寸為22.35x16.26x8.00mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流,高效率和高擊穿電壓。此外,這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR,統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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SDH5022-101M-LF
100UH,1.8A SMD非屏蔽功率電感器,尺寸為22.35x16.26x8.00mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流,高效率和高擊穿電壓。此外,這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR,統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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SDH5022-151M-LF
150UH,1.5A SMD尺寸為22.35x16.26x8.00mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流,高效率和高擊穿電壓。此外,這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR,統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
細節 添加到詢問車220uH, 1.2A SMD 無屏蔽蔽繞線功率電感
SDH5022-221M-LF
220UH,1.2A SMD尺寸為22.35x16.26x8.00mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流,高效率和高擊穿電壓。此外,這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR,統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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SDH5022-331M-LF
330UH,1A未屏蔽的電繞線式SMD功率電感器,尺寸為22.35x16.26x8.00mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流,高效率和高擊穿電壓。此外,這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR,統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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SDH5022-471M-LF
470UH,0.82A 表面貼裝非屏蔽功率電感器,尺寸為22.35x16.26x8.00mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流,高效率和高擊穿電壓。此外,這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR,統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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SDH5022-681M-LF
680UH,0.72A SMT尺寸為22.35x16.26x8.00mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流,高效率和高擊穿電壓。此外,這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR,統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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SDH5022-102M-LF
1000UH,0.56A SMT UNSHIEED WINED WIND WODER ENTUCTOR,尺寸為22.35x16.26x8.00mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流,高效率和高擊穿電壓。此外,這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR,統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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