390uH, 0.55A SMT 非屏蔽電感
SDH3316-391M-LF
390UH，0.55A SMT尺寸為13.21x9.91x6.35mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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470uH, 0.5A SMT 無屏蔽電感
SDH3316-471M-LF
470UH，0.5A SMT尺寸為13.21x9.91x6.35mm的非屏蔽功率電感器。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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0.78uH, 15A SMT 無屏蔽蔽繞線功率電感
SDH5022-R78M-LF
0.78UH，15A SMT 非屏蔽貼片電感，尺寸為22.35x16.26x8.00mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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1.5uH, 15A 開放式繞線式SMT 功率電感
SDH5022-1R5M-LF
1.5UH，15a尺寸為22.35x16.26x8.00mm的未屏蔽繞線式SMT電感器。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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2.2uH, 12A SMD 非屏蔽大電流 功率電感
SDH5022-2R2M-LF
2.2UH，12A SMD非屏蔽高電流電感器，尺寸為22.35x16.26x8.00mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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3.3uH, 10A SMD 開放式大電流 功率電感
SDH5022-3R3M-LF
3.3UH，10A SMD尺寸為22.35x16.26x8.00mm的非屏蔽高電流電感器。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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3.9uH, 9A SMD 開放式大電流 繞線式功率電感
SDH5022-3R9M-LF
3.9UH，9A SMD未屏蔽的高電流繞線功率電感器，尺寸為22.35x16.26x8.00mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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4.7uH, 8.4A 開放式繞線式SMD 大電流 功率電感
SDH5022-4R7M-LF
4.7UH，8.4a未屏蔽的電繞線式SMD高電流電感器，尺寸為22.35x16.26x8.00mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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6uH, 7.5A SMT 非屏蔽大電流 功率電感
SDH5022-6R0M-LF
6UH，7.5A SMT非屏蔽高電流電感器具有尺寸22.35x16.26x8.00mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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7.8uH, 7.5A SMT 開放式大電流 功率電感
SDH5022-7R8M-LF
7.8UH，7.5A SMT尺寸為22.35x16.26x8.00mm的非屏蔽高電流電感器。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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10uH, 6A SMT 開放式大電流 繞線式功率電感
SDH5022-100M-LF
10UH，6A SMT未屏蔽的高電流繞線功率電感器，尺寸為22.35x16.26x8.00mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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12uH, 4.4A 開放式繞線式大電流 SMT 功率電感
SDH5022-120M-LF
12UH，4.4A未屏蔽的電線高電流高電流電感器，尺寸為22.35x16.26x8.00mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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