6.8uH, 9.6A 非屏蔽繞線式SMT 功率電感
SDH5040-6R8M-LF
6.8UH,9.6a尺寸為22.35x16.26x12.0mm的未屏蔽繞線式SMT功率電感器。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流,高效率和高擊穿電壓。此外,這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR,統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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SDH5040-100M-LF
10UH,8.6a SMD非屏蔽高電流電感器,尺寸為22.35x16.26x12.0mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流,高效率和高擊穿電壓。此外,這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR,統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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SDH5040-120M-LF
12UH,7.4A SMT電繞線式功率電感器,尺寸為22.35x16.26x12.0mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流,高效率和高擊穿電壓。此外,這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR,統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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SDO1608-1R0M-LF
1UH,2.9A SMD尺寸為6.6x4.45x2.92mm的非屏蔽高電流電感器。使用帶有鍍金的陶瓷鹼,以達到更長的儲存期和出色的抗氧化。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流,高效率和高擊穿電壓。此外,這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。可提供客制規格。
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SDO1608-1R5M-LF
1.5UH,2.8A SMD UNSHIEED高電流繞線功率電感器,尺寸為6.6x4.45x2.92mm。使用帶有鍍金的陶瓷鹼,以達到更長的儲存期和出色的抗氧化。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流,高效率和高擊穿電壓。此外,這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。可提供客制規格。
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SDO1608-2R2M-LF
2.2UH,2.4a未屏蔽的電繞線式SMD高電流電感器,尺寸為6.6x4.45x2.92mm。使用帶有鍍金的陶瓷鹼,以達到更長的儲存期和出色的抗氧化。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流,高效率和高擊穿電壓。此外,這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。可提供客制規格。
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SDO1608-2R7M-LF
2.7UH,2.1a SMT非屏蔽高電流電感器,尺寸為6.6x4.45x2.92mm。使用帶有鍍金的陶瓷鹼,以達到更長的儲存期和出色的抗氧化。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流,高效率和高擊穿電壓。此外,這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。可提供客制規格。
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SDO1608-3R3M-LF
3.3UH,2A SMT屏蔽的高電流電感器,尺寸為6.6x4.45x2.92mm。使用帶有鍍金的陶瓷鹼,以達到更長的儲存期和出色的抗氧化。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流,高效率和高擊穿電壓。此外,這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。可提供客制規格。
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SDO1608-4R7M-LF
4.7UH,1.5A SMT非屏蔽高電流繞線功率電感器,尺寸為6.6x4.45x2.92mm。使用帶有鍍金的陶瓷鹼,以達到更長的儲存期和出色的抗氧化。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流,高效率和高擊穿電壓。此外,這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。可提供客制規格。
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SDO1608-6R8M-LF
6.8UH,1.4A尺寸為6.6x4.45x2.92mm的非屏蔽電線高電流SMT功率電感器。使用帶有鍍金的陶瓷鹼,以達到更長的儲存期和出色的抗氧化。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流,高效率和高擊穿電壓。此外,這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。可提供客制規格。
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SDO1608-8R2M-LF
8.2UH,1.3A SMD 繞線式功率電感器,尺寸為6.6x4.45x2.92mm。使用帶有鍍金的陶瓷鹼,以達到更長的儲存期和出色的抗氧化。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流,高效率和高擊穿電壓。此外,這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。可提供客制規格。
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SDO1608-100M-LF
10UH,1.2A SMT電繞線式功率電感器,尺寸為6.6x4.45x2.92mm。使用帶有鍍金的陶瓷鹼,以達到更長的儲存期和出色的抗氧化。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流,高效率和高擊穿電壓。此外,這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。可提供客制規格。
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