15uH, 1.1A SMT 開放式繞線式功率電感
SDO1608-150M-LF
15UH,1.1a SMT尺寸為6.6x4.45x2.92mm的未屏蔽電線電感器。使用帶有鍍金的陶瓷鹼,以達到更長的儲存期和出色的抗氧化。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流,高效率和高擊穿電壓。此外,這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。可提供客制規格。
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SDO1608-220M-LF
22UH,0.8A尺寸為6.6x4.45x2.92mm的Unshield 繞線式SMT功率電感器。使用帶有鍍金的陶瓷鹼,以達到更長的儲存期和出色的抗氧化。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流,高效率和高擊穿電壓。此外,這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。可提供客制規格。
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SDO1608-330M-LF
33UH,0.6A SMD非屏蔽高電流電感器,尺寸為6.6x4.45x2.92mm。使用帶有鍍金的陶瓷鹼,以達到更長的儲存期和出色的抗氧化。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流,高效率和高擊穿電壓。此外,這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。可提供客制規格。
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SDO1608-470M-LF
47UH,0.5A SMT電繞線式功率電感器,尺寸為6.6x4.45x2.92mm。使用帶有鍍金的陶瓷鹼,以達到更長的儲存期和出色的抗氧化。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流,高效率和高擊穿電壓。此外,這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。可提供客制規格。
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SDO1608-680M-LF
68UH,0.4A,尺寸為6.6x4.45x2.92mm的Unshield 繞線式SMT功率電感器。使用帶有鍍金的陶瓷鹼,以達到更長的儲存期和出色的抗氧化。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流,高效率和高擊穿電壓。此外,這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。可提供客制規格。
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SDO1608-101M-LF
100UH,0.3A SMD非屏蔽高電流電感器,尺寸為6.6x4.45x2.92mm。使用帶有鍍金的陶瓷鹼,以達到更長的儲存期和出色的抗氧化。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流,高效率和高擊穿電壓。此外,這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。可提供客制規格。
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SDO1608-151M-LF
150UH,0.25A SMD非屏蔽功率電感器,尺寸為6.6x4.45x2.92mm。使用帶有鍍金的陶瓷鹼,以達到更長的儲存期和出色的抗氧化。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流,高效率和高擊穿電壓。此外,這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。可提供客制規格。
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SDO1608-221M-LF
220UH,0.2A SMD UNSHIED DOWER CONTUCTOR,尺寸為6.6x4.45x2.92mm。使用帶有鍍金的陶瓷鹼,以達到更長的儲存期和出色的抗氧化。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流,高效率和高擊穿電壓。此外,這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。可提供客制規格。
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SDO1608-331M-LF
330UH,0.16A SMD UNSHIEED WINED WIND WIND WOWER ENTUCTOR,尺寸為6.6x4.45x2.92mm。使用帶有鍍金的陶瓷鹼,以達到更長的儲存期和出色的抗氧化。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流,高效率和高擊穿電壓。此外,這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。可提供客制規格。
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SDO1608-471M-LF
470UH,0.15A,尺寸為6.6x4.45x2.92mm的非屏蔽繞線式SMD功率電感器。使用帶有鍍金的陶瓷鹼,以達到更長的儲存期和出色的抗氧化。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流,高效率和高擊穿電壓。此外,這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。可提供客制規格。
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SDO1608-681M-LF
680UH,0.12A SMT尺寸為6.6x4.45x2.92mm的非屏蔽功率電感器。使用帶有鍍金的陶瓷鹼,以達到更長的儲存期和出色的抗氧化。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流,高效率和高擊穿電壓。此外,這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。可提供客制規格。
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SDO1608-102M-LF
1000UH,0.07A SMT尺寸為6.6x4.45x2.92mm的非屏蔽功率電感器。使用帶有鍍金的陶瓷鹼,以達到更長的儲存期和出色的抗氧化。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流,高效率和高擊穿電壓。此外,這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。可提供客制規格。
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