680uH, 0.12A 非屏蔽繞線式SMT 功率電感
SDH1608X-681M-LF
680UH，0.12A尺寸為6.6x4.45x2.92mm的Unshield Wire -Winewound SMT功率電感器。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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1000uH, 0.07A SMD 非屏蔽大電流 功率電感
SDH1608X-102M-LF
1000UH，0.07A SMD非屏蔽高電流電感器，尺寸為6.6x4.45x2.92mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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0.18uH, 10A SMD 非屏蔽電感
SDH1813-R18M-LF
0.18UH，10A SMD非屏蔽功率電感器，尺寸8.89x6.1x5.0mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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0.33uH, 7A SMD 無屏蔽電感
SDH1813-R33M-LF
0.33UH，7A SMD UNSHIED DOWER CONTUCER，尺寸8.89x6.1x5.0mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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0.56uH, 6A SMD 無屏蔽蔽繞線功率電感
SDH1813-R56M-LF
0.56UH，6A SMD UNSHIEED WINED WIND WIND WOWER ACTUCTOR，尺寸8.89x6.1x5.0mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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1.2uH, 4.4A 開放式繞線式SMD 功率電感
SDH1813-1R2M-LF
1.2UH，4.4a尺寸8.89x6.1x5.0mm的未屏蔽線路繞線SMD功率電感器。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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2.2uH, 3.1A SMT 非屏蔽電感
SDH1813-2R2M-LF
2.2UH，3.1a SMT非屏蔽功率電感器，尺寸8.89x6.1x5.0mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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3.3uH, 2.7A SMT 無屏蔽電感
SDH1813-3R3M-LF
3.3uh，2.7a SMT尺寸8.89x6.1x5.0mm的非屏蔽功率電感器。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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4.7uH, 2.2A SMT 無屏蔽蔽繞線功率電感
SDH1813-4R7M-LF
4.7UH，2.2a SMT尺寸8.89x6.1x5.0mm的非屏蔽繞線式功率電感器。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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6.8uH, 1.8A 開放式繞線式SMT 功率電感
SDH1813-6R8M-LF
6.8UH，1.8A，尺寸8.89x6.1x5.0mm的未屏蔽線路繞線SMT功率電感器。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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8.2uH, 1.6A SMD 非屏蔽大電流 功率電感
SDH1813-8R2M-LF
8.2UH，1.6A SMD非屏蔽高電流電感器，尺寸8.89x6.1x5.0mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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10uH, 1.5A SMD 開放式大電流 功率電感
SDH1813-100M-LF
10UH，1.5A SMD尺寸8.89x6.1x5.0mm的非屏蔽高電流電感器。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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