15uH, 1.2A SMD 開放式大電流 繞線式功率電感
SDH1813-150M-LF
15UH，1.2A SMD UNSHIEED高電流繞線式功率電感器，尺寸8.89x6.1x5.0mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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22uH, 1A 開放式繞線式SMD 大電流 功率電感
SDH1813-220M-LF
22UH，1A未屏蔽的電繞線式SMD高電流功率電感器，尺寸8.89x6.1x5.0mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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33uH, 0.82A SMT 非屏蔽大電流 功率電感
SDH1813-330M-LF
33UH，0.82A SMT非屏蔽高電流電感器，尺寸8.89x6.1x5.0mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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47uH, 0.72A SMT 開放式大電流 功率電感
SDH1813-470M-LF
47UH，0.72A SMT尺寸為8.89x6.1x5.0mm的非屏蔽高電流電感器。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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0.12uH, 22A SMT 開放式大電流 繞線式功率電感
SDH3316-R12M-LF
0.12UH，22A SMT未屏蔽的高電流繞線功率電感器，尺寸為13.21x9.91x6.35mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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0.33uH, 16A 開放式繞線式大電流 SMT 功率電感
SDH3316-R33M-LF
0.33UH，16A未屏蔽的電線高電流SMT功率電感器，尺寸為13.21x9.91x6.35mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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0.68uH, 12A 貼片繞線功率電感
SDH3316-R68M-LF
0.68UH，12A SMD 繞線式功率電感器，尺寸為13.21x9.91x6.35mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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1uH, 10A SMT 繞線式功率電感
SDH3316-1R0M-LF
1UH，10A SMT電繞線式功率電感器，尺寸為13.21x9.91x6.35mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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1.5uH, 9A SMT 開放式繞線式功率電感
SDH3316-1R5M-LF
1.5UH，9A SMT尺寸為13.21x9.91x6.35mm的未屏蔽電線電感器。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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2.2uH, 7.4A 非屏蔽繞線式SMT 功率電感
SDH3316-2R2M-LF
2.2UH，7.4a尺寸為13.21x9.91x6.35mm的非屏蔽繞線式SMT功率電感器。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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2.7uH, 6.6A SMD 非屏蔽大電流 功率電感
SDH3316-2R7M-LF
2.7UH，6.6a 表面貼裝非屏蔽高電流功率電感器，尺寸為13.21x9.91x6.35mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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3.3uH, 5.9A SMD 非屏蔽電感
SDH3316-3R3M-LF
3.3UH，5.9A SMD非屏蔽功率電感器，尺寸為13.21x9.91x6.35mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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