3.9uH, 5.3A SMD 無屏蔽電感
SDH3316-3R9M-LF
3.9UH，5.3a SMD尺寸13.21x9.91x6.35mm的非屏蔽功率電感器。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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4.7uH, 4.8A SMD 無屏蔽蔽繞線功率電感
SDH3316-4R7M-LF
4.7UH，4.8A SMD 非屏蔽貼片電感，尺寸為13.21x9.91x6.35mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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5.6uH, 4.65A 開放式繞線式SMD 功率電感
SDH3316-5R6M-LF
5.6UH，4.65a尺寸為13.21x9.91x6.35mm的未屏蔽繞線式SMD功率電感器。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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6.8uH, 4.4A SMT 非屏蔽電感
SDH3316-6R8M-LF
6.8UH，4.4A SMT非屏蔽功率電感器，尺寸為13.21x9.91x6.35mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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8.2uH, 4.15A SMT 無屏蔽電感
SDH3316-8R2M-LF
8.2UH，4.15A SMT尺寸為13.21x9.91x6.35mm的非屏蔽功率電感器。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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10uH, 3.9A SMT 無屏蔽蔽繞線功率電感
SDH3316-100M-LF
10UH，3.9A SMT尺寸為13.21x9.91x6.35mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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12uH, 3.5A 開放式繞線式SMT 功率電感
SDH3316-120M-LF
12UH，3.5a尺寸為13.21x9.91x6.35mm的未屏蔽繞線式SMT功率電感器。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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15uH, 3.1A SMD 非屏蔽大電流 功率電感
SDH3316-150M-LF
15UH，3.1A 表面貼裝非屏蔽高電流功率電感器，尺寸為13.21x9.91x6.35mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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18uH, 2.9A SMD 開放式大電流 功率電感
SDH3316-180M-LF
18UH，2.9a SMD持續的高電流電感器，尺寸為13.21x9.91x6.35mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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22uH, 2.7A SMD 開放式大電流 繞線式功率電感
SDH3316-220M-LF
22UH，2.7A SMD屏蔽的高電流繞線功率電感器，尺寸為13.21x9.91x6.35mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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27uH, 2.3A 開放式繞線式SMD 大電流 功率電感
SDH3316-270M-LF
27UH，2.3A未屏蔽的繞線式SMD高電流電感器，尺寸為13.21x9.91x6.35mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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33uH, 2.1A SMT 非屏蔽大電流 功率電感
SDH3316-330M-LF
33UH，2.1a SMT尺寸為13.21x9.91x6.35mm的非屏蔽高電流電感器。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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