39uH, 1.95A SMT 開放式大電流 功率電感
SDH3316-390M-LF
39UH，1.95A SMT非屏蔽的高電流電感器，尺寸為13.21x9.91x6.35mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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47uH, 1.8A SMT 開放式大電流 繞線式功率電感
SDH3316-470M-LF
47UH，1.8A SMT未屏蔽的高電流繞線功率電感器，尺寸為13.21x9.91x6.35mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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56uH, 1.55A 開放式繞線式大電流 SMT 功率電感
SDH3316-560M-LF
56UH，1.55A未屏蔽的線鏈高電流SMT功率電感器，尺寸為13.21x9.91x6.35mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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68uH, 1.5A 貼片繞線功率電感
SDH3316-680M-LF
68UH，1.5A SMD 繞線式功率電感器，尺寸為13.21x9.91x6.35mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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82uH, 1.4A SMT 繞線式功率電感
SDH3316-820M-LF
82UH，1.4A SMT 繞線式功率電感器，尺寸為13.21x9.91x6.35mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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100uH, 1.3A SMT 開放式繞線式功率電感
SDH3316-101M-LF
100UH，1.3A SMT尺寸為13.21x9.91x6.35mm的未屏蔽電線電感器。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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120uH, 1A 非屏蔽繞線式SMT 功率電感
SDH3316-121M-LF
120UH，1A未屏蔽的繞線式SMT功率電感器，尺寸為13.21x9.91x6.35mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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150uH, 0.9A SMD 非屏蔽大電流 功率電感
SDH3316-151M-LF
150UH，0.9A 表面貼裝非屏蔽高電流功率電感器，尺寸為13.21x9.91x6.35mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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180uH, 0.85A SMD 非屏蔽電感
SDH3316-181M-LF
180UH，0.85A SMD非屏蔽功率電感器，尺寸為13.21x9.91x6.35mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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220uH, 0.8A SMD 開放式大電流 功率電感
SDH3316-221M-LF
220UH，0.8A SMD 非屏蔽的高電流電感器，尺寸為13.21x9.91x6.35mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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270uH, 0.7A SMD 無屏蔽蔽繞線功率電感
SDH3316-271M-LF
270UH，0.7A SMD UNSHIEED WINED WIND WODER ENTUCTOR，尺寸為13.21x9.91x6.35mm。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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330uH, 0.6A 開放式繞線式SMD 功率電感
SDH3316-331M-LF
330UH，0.6A尺寸為13.21x9.91x6.35mm的未屏蔽繞線式SMD功率電感器。專為要求背光應用而設計。利用MN-ZN磁芯提供高飽和電流，高效率和高擊穿電壓。此外，這種SMD不屏蔽的高電流電感器功能具有低直流電阻。為了達到較低的DCR，統宇電研利用電線作為端子來減少功率損耗。可提供客制規格。
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